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无线和射频半导体
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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150
¥1,151.7525
172762.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADA4961ACPZN-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Wide Dynamic Rage High BW DGA
1:¥165.8162
5:¥160.2905
10:¥154.5275
25:¥147.1486
1,500:¥112.8757
参考库存:12973
BGA6589,135
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频无线杂项 MMIC AMPLIFIER
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
4,000:¥5.763
参考库存:106100
ATSAMR35J16B-I/7JX
Microchip Technology
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC MCU with LoRA Tranceiver
1:¥38.4991
10:¥37.9567
25:¥35.5046
参考库存:5437
RFFM6904TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 868MHz / 928MHz 33.5 dBm, 21dB
1:¥60.7827
250:¥53.8671
500:¥45.1774
1,000:¥38.2618
2,500:¥27.8206
参考库存:16144
GRF2105
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器 .4-5GHz NF .77dB OP1dB 22.5dBm
1:¥64.9298
100:¥58.9408
500:¥52.9405
1,000:¥40.9512
2,500:¥38.42
参考库存:10441

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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