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无线和射频半导体
AFT18P350-4S2LR6参考图片

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AFT18P350-4S2LR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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150
¥1,151.7525
172762.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.1 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
系列
AFT18P350_4S2L
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
1.2 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
零件号别名
935317727128
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFT18P350-4S2LR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TRF3705IRGET
Texas Instruments
无线和射频半导体
调节器/解调器 300MHz to 4GHz Quad- rature Modulator
1:¥83.2923
10:¥76.614
25:¥72.6138
100:¥64.7038
250:¥61.472
参考库存:5060
ATMEGA1284RZAP-MU
Microchip Technology / Atmel
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1:¥39.9568
参考库存:5412
CC430F5135IRGZT
Texas Instruments
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1:¥52.8614
10:¥47.799
25:¥44.2621
100:¥39.6517
250:¥37.6516
参考库存:5404
HMC435AMS8GE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPDT hi Isolation Switch SMT, DC - 4 GHz
1:¥29.9676
10:¥26.894
100:¥22.0576
250:¥20.905
参考库存:8201
SKY65013-70LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 .1-1.7GHz InGaP HBT Sm Sig Gain 12.5dB
1:¥19.5942
10:¥15.8313
100:¥14.2154
250:¥12.5995
3,000:¥8.1473
参考库存:13418

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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