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无线和射频半导体
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PD57006TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
600
¥85.9026
51541.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD57006TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GC4210-15
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
35:¥464.882
50:¥458.6557
100:¥433.92
参考库存:33735
QPM2637TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 9-10.5GHz GaN Transmit/Receive Module
750:¥700.939
参考库存:33740
GC4603-172
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
25:¥1,563.694
50:¥1,528.5736
参考库存:33745
SL3S1215FUD2/HAA
NXP Semiconductors
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RFID应答器 SL3S1215FUD2/UNCASED//HA/WAFER SAWN FFC NDP SmallP
220,000:¥0.15368
参考库存:33750
PTFB210801FA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥383.6576
参考库存:33755

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    50万现货SKU

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