HMC327MS8GE详细参数_参考价格_HMC327MS8GE PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：3,808(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MSOP-8
类型	RF Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	4 GHz
P1dB - 压缩点	27 dBm
增益	21 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	5 dB
OIP3 - 三阶截点	40 dBm
工作电源电流	250 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC327
封装	Cut Tape
频率范围	3 GHz to 4 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	1.88 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	140 mg

商品其它信息

优势价格，HMC327MS8GE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
F2977NEGK8	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC High Linearity Broadband SPDT Switch	3,000:¥14.9047 6,000:¥14.2945	参考库存:31333
PXAD214218FV-V1-R2	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥1,159.2105	参考库存:31338
NJG1809ME7-TE1	NJR	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC HP SP4T Switch GaAs 1.35 to 5.0V 32dBm	3,000:¥3.8081	参考库存:31343
PCF7953MTTC1AC2200	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU PCF7953MTT/TSSOP28//C1AC2200/REEL 13 Q1 NDP	2,500:¥26.1256	参考库存:31348
MS1582	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor	25:¥1,601.9558 50:¥1,564.4624	参考库存:31353