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无线和射频半导体
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MRFE6VS25LR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L
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数量单价合计
1
¥427.9988
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5
¥415.4784
2077.392
10
¥406.6418
4066.418
25
¥389.4997
9737.4925
50
¥389.4997
19474.985
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
140 V
增益
25.9 dB
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VS25N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935320096178
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6VS25LR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,040:¥33.3463
参考库存:39151

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