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分立半导体
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STGWA8M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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库存:45,926(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.5042
27.5042
10
¥23.3571
233.571
100
¥20.2835
2028.35
250
¥19.21
4802.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA8M120DF3
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWA8M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 1200V 270A
1:¥915.6277
5:¥898.802
10:¥858.3819
25:¥829.7138
参考库存:42038
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2999
3,000:¥7.1303
6,000:查看
参考库存:42043
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2v7
1:¥1.1526
10:¥0.99892
100:¥0.63054
1,000:¥0.2147
2,500:¥0.17628
参考库存:42048
分立半导体
稳压二极管 9.1 to 10.2V; 40mA 1000mW
1:¥3.3787
10:¥2.7685
100:¥1.6837
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:42053
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER TUMD2 1913 SIZE 4.7V
1:¥3.2318
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:42058
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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