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分立半导体
SQJ990EP-T1_GE3参考图片

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SQJ990EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3393
633.93
500
¥5.4579
2728.95
1,000
¥4.3053
4305.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
17 A, 34 A
Rds On-漏源导通电阻
32.5 mOhms, 15.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S, 34 S
下降时间
21 ns, 22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ990EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5227C-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.225W 2%
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:44905
MMBZ5260C-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 43 Volt 0.225W 2%
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:44910
MMSZ5238B-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 8.7 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:44915
DZ23C9V1-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1Volt 0.3 Watt 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
3,000:¥0.4068
6,000:查看
参考库存:44920
AZ23C16-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.3W 5% CA AUTO
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.84524
500:¥0.72207
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:44925

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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