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分立半导体
TP0604N3-G P002参考图片

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TP0604N3-G P002

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
430 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TP0604N3-G P002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MURD340T4G
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 SCHOTTKY ULTRAFAST
1:¥6.6896
10:¥5.6839
100:¥4.3618
500:¥3.8533
1,000:¥3.0397
2,500:¥3.0397
参考库存:13779
NGTB40N120IHRWG
ON Semiconductor
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V/40A RC IGBT FSII
1:¥38.0358
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.5889
参考库存:2886
FDS6612A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8 N-CH 30V
1:¥5.8421
10:¥4.8138
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
参考库存:8963
VS-HFA08PB60-N3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
1:¥34.0356
10:¥28.2048
100:¥23.2102
250:¥22.5096
500:¥20.2044
参考库存:3850
MJD200T4G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 25V 12.5W NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
2,500:¥1.4012
参考库存:17512

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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