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分立半导体
NGTB40N120IHRWG参考图片

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NGTB40N120IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/40A RC IGBT FSII
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库存：2,886(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.0358
38.0358
10
¥32.3519
323.519
100
¥28.0466
2804.66
250
¥26.5889
6647.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
384 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB40N120IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，NGTB40N120IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ5233BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200MW 6.0V
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:67055
SBR40U300CT
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A 300V
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
500:¥18.5207
参考库存:5177
MSB92WT1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:12834
NTHS5441T1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET -20V -5.3A P-Channel
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:6266
SBR1A40SA-13
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SUPER BARRIER REC 1A,40V
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
5,000:¥0.75258
10,000:¥0.70738
参考库存:18378

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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