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分立半导体
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STGPL6NC60DI

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600 V - 6 A Hyper fast IGBT
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数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6275
3813.75
1,000
¥6.328
6328
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
56 W
系列
STGPL6NC60DI
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STGPL6NC60DI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84-B5V6,235
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:51120
T660N26TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 2600V 660A
1:¥1,133.616
5:¥1,111.3324
10:¥1,059.5445
25:¥1,037.2609
参考库存:2687
NSVM1MA152WAT1G
ON Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SS SC59 SWCH DIO 80V TR
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:47674
IPA50R800CE
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥6.2263
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
参考库存:9526
IPS60R800CEAKMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥5.763
10:¥4.8025
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:10178

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