RN2302(TE85L,F)详细参数_参考价格_RN2302(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2302
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	50
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AUIRLR3705Z	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms	3,000:¥7.4693 6,000:¥7.1868 9,000:¥6.9156	参考库存:36594
R3000-B	Rectron	分立半导体	PDF数据手册	整流器 200mA 3000V	15,000:¥1.2091	参考库存:36599
ACST610-8R	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	双向可控硅 Overvoltage Triac Low <10mA 1500 rms	1:¥16.2946 10:¥13.1419 100:¥10.5316 500:¥9.2208	参考库存:6893
BC817-16	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 300mW	3,000:¥0.27685 9,000:¥0.22261 24,000:¥0.20001 45,000:¥0.17628	参考库存:36606
2N5886	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥289.2235 250:¥264.3296	参考库存:36611