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分立半导体
STP170N8F7参考图片

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STP170N8F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥19.5942
19.5942
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.2888
1328.88
500
¥11.6842
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
STP170N8F7
类型
STripFET F7
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
38 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP170N8F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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