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分立半导体
BSC059N04LS G参考图片

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BSC059N04LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:36,473(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.5144
55.144
100
¥3.5595
355.95
1,000
¥2.8476
2847.6
5,000
¥2.8476
14238
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
零件号别名
BSC059N04LSGATMA1 BSC59N4LSGXT SP000391499
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC059N04LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 6.0A 800V
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
参考库存:6401
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650 V 8A Schottky silicon carbide DPAK
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥15.2889
250:¥14.4414
2,500:¥10.4525
5,000:查看
参考库存:3173
分立半导体
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥15.594
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
参考库存:5360
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥30.0467
5:¥28.8941
10:¥27.8206
25:¥25.5154
参考库存:3832
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.6046
参考库存:10634
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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