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分立半导体
STGW30H60DFB参考图片

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STGW30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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库存:6,768(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.894
26.894
10
¥22.826
228.26
100
¥19.8202
1982.02
250
¥18.8258
4706.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30H60DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 VR=400V, IO=1A
1:¥3.7629
10:¥2.8024
100:¥1.9097
1,000:¥1.3221
参考库存:5388
分立半导体
稳压二极管 14V 0.5W Zener
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
5,000:¥0.1695
10,000:¥0.14577
参考库存:224920
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:6562
分立半导体
稳压二极管 500mW 12.43V Zener 500mW 0.9V Vf
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:43614
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:58436
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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