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分立半导体
DMN65D8LFB-7参考图片

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DMN65D8LFB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
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数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.6272
16.272
100
¥0.68365
68.365
1,000
¥0.46104
461.04
3,000
¥0.3616
1084.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
430 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN65D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
6.29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.025 ns
典型接通延迟时间
3.27 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN65D8LFB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
1:¥5.9212
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
1,500:¥2.147
参考库存:18387
分立半导体
稳压二极管 64-72Vz(V) 2Iz(mA) 0.2 Ir(uA) 52Vr(V)
1:¥1.8419
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:21169
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:3021
分立半导体
稳压二极管 150 Volt 600W 6%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
5,000:¥1.6724
10,000:查看
参考库存:130148
分立半导体
MOSFET SINGLE PT8 N 30/20V SSOT6
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9970
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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