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产品分类

分立半导体
DMHC10H170SFJ-13参考图片

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DMHC10H170SFJ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V Comp Enh FET 20Vgs w/ H-Bridge
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库存:33,658(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
1,000
¥4.0906
4090.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
V-DFN5045-12
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2.9 A, 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
111 mOhms, 191 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.7 nC, 17.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMHC10H
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
12.8 ns, 34.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.1 ns, 14.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.6 ns, 57.4 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns, 9.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMHC10H170SFJ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:394670
分立半导体
MOSFET N-CHAN 40V 120A
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:28672
分立半导体
JFET JFET N-Channel -25V 25mA 400mW 3.2mW
1:¥319.4962
10:¥299.0658
25:¥276.5449
100:¥259.109
参考库存:42226
分立半导体
整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
1:¥22.8938
10:¥19.0518
100:¥14.7578
500:¥12.9046
参考库存:42231
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥7.458
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
参考库存:6934
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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