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分立半导体
DMG7N65SJ3参考图片

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DMG7N65SJ3

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.328
63.28
100
¥4.859
485.9
500
¥4.294
2147
1,000
¥3.39
3390
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，DMG7N65SJ3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMSZ5257C-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:42584
DMN2040U-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
1:¥2.7685
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.5989
参考库存:17795
DMN2004DWKQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:422797
BZX384C4V7-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3843
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
10,000:¥0.28476
20,000:查看
参考库存:42593
BZT52B75-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 75 Volt 0.5W 2%
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:42598

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