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分立半导体
AUIRF1018E参考图片

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AUIRF1018E

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm Automotive MOSFET
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥15.2889
152.889
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
79 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
46 nC
Pd-功率耗散
110 W
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001519520
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，AUIRF1018E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TN2010H-6G-TR
STMicroelectronics
分立半导体
SCR High Temperature 20A SCR
1:¥7.7631
10:¥6.5992
100:¥5.0737
500:¥4.4748
参考库存:6687
EMH9FHAT2R
ROHM Semiconductor
分立半导体
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1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.41471
8,000:¥0.35369
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GDZ13LP3-7
Diodes Incorporated
分立半导体
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1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:52411
DTC144EEBHZGTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-416FL 47kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:44513
NGTB40N65IHRTG
ON Semiconductor
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IGBT 晶体管 650V/40A MONOLITHIC RC IG
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
参考库存:3895

  • 海量现货

    50万现货SKU

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