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分立半导体
NGTB40N65IHRTG参考图片

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NGTB40N65IHRTG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/40A MONOLITHIC RC IG
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数量单价合计
1
¥22.1254
22.1254
10
¥18.8258
188.258
100
¥15.0629
1506.29
500
¥13.1419
6570.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
405 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N65IHRTG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky
3,000:¥7.0286
6,000:¥6.7687
9,000:¥6.2602
参考库存:39977
分立半导体
稳压二极管
100:¥156.2903
200:¥143.4648
500:¥136.5492
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10:¥2,029.5704
参考库存:39987
分立半导体
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10:¥1,306.3591
参考库存:39992
分立半导体
稳压二极管
100:¥219.2991
200:¥201.2417
参考库存:39997
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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