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分立半导体
AUIRFN8401TR参考图片

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AUIRFN8401TR

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 40V Single N-Channel HEXFET
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数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.5484
3774.2
4,000
¥7.5484
30193.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
4.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
144 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
SP001522256
商品其它信息
优势价格,AUIRFN8401TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥161.8273
10:¥147.0695
25:¥136.0068
50:¥128.6279
参考库存:2111
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diodes 20V 1A
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
5,000:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:27853
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual NPN
1:¥2.6894
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.43844
参考库存:119480
分立半导体
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:455247
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-247-e3
1:¥37.7307
10:¥31.2784
100:¥25.7414
250:¥24.8939
500:¥22.3627
参考库存:4434
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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