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分立半导体
DMS3016SSS-13参考图片

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DMS3016SSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
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库存:38,591(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.8 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMS30
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.73 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36.41 ns
典型接通延迟时间
6.62 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMS3016SSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Pch -20V Vds -2A 0.18Rds(on) 4.9Qg
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:17986
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥24.8939
10:¥21.131
100:¥18.3625
250:¥17.3681
参考库存:27353
分立半导体
MOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
1,500:¥8.2264
4,500:查看
参考库存:11640
分立半导体
肖特基二极管与整流器 70V 0.07A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:271092
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥509.6752
10:¥490.081
参考库存:5344
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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