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分立半导体
IRGB4056DPBF参考图片

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IRGB4056DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
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库存:27,353(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.8939
24.8939
10
¥21.131
211.31
100
¥18.3625
1836.25
250
¥17.3681
4342.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
140 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544890
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRGB4056DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
500:¥4.2262
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:13767
分立半导体
MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified
1:¥8.1473
10:¥7.2998
100:¥5.6274
500:¥4.1584
3,000:¥2.9154
6,000:查看
参考库存:15354
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥48.4883
10:¥40.1828
100:¥33.0412
250:¥32.0468
500:¥28.7359
参考库存:3811
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:83103
分立半导体
稳压二极管 500mW PLZ Zener MicroSMF (DO-219AC)
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
4,500:¥0.32318
9,000:查看
参考库存:136185
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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