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分立半导体
STGW80H65DFB参考图片

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STGW80H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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库存:9,092(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.7824
54.7824
10
¥49.5618
495.618
25
¥47.2566
1181.415
100
¥41.0303
4103.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW80H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench schottky 10amp 60v
1:¥4.9155
10:¥4.3053
25:¥3.8985
100:¥3.4013
1,500:¥1.7741
4,500:查看
参考库存:22990
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODO RETIFIER CASE POS AND NEG
1:¥13.3679
10:¥11.1418
100:¥9.5259
250:¥8.2942
参考库存:6632
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Fast Recovery Diode
1:¥4.8364
10:¥4.5426
100:¥4.0906
1,000:¥3.7177
参考库存:8274
分立半导体
MOSFET
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥7.0512
1,000:¥5.5709
参考库存:3106
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 40A 306W
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.2781
250:¥23.9786
500:¥21.5152
参考库存:4698
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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