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分立半导体
IGW40N60H3参考图片

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IGW40N60H3

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数量单价合计
1
¥34.2729
34.2729
10
¥29.1201
291.201
100
¥25.2781
2527.81
250
¥23.9786
5994.65
500
¥21.5152
10757.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
306 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - D
1:¥161.8273
10:¥147.0695
25:¥136.0068
50:¥128.6279
参考库存:2111
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diodes 20V 1A
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
5,000:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:27853
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual NPN
1:¥2.6894
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.43844
参考库存:119480
分立半导体
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:455247
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-247-e3
1:¥37.7307
10:¥31.2784
100:¥25.7414
250:¥24.8939
500:¥22.3627
参考库存:4434
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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