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分立半导体

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STGWA25H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥56.6356
56.6356
10
¥51.1777
511.777
25
¥48.7934
1219.835
100
¥42.3411
4234.11
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25H120F2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGWA25H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS84AK,215
Nexperia
分立半导体
MOSFET P-CH -50 V -180 mA
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:563212
STU7NF25
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 250V 0.29Ohm 8A STripFET II
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
参考库存:16174
2SA2029M3T5G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
8,000:¥0.26103
24,000:查看
参考库存:280286
BAT46WJ,115
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diodes 100V 250mA Single
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:2024758
BZD27C150P-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 150 Volt 0.8 Watt 5%
1:¥3.5369
10:¥2.712
100:¥2.0114
500:¥1.6498
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.2882
参考库存:120635

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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