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分立半导体
STQ1NK60ZR-AP参考图片

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STQ1NK60ZR-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
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库存:31,505(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2205
32.205
100
¥1.9662
196.62
1,000
¥1.5255
1525.5
2,500
¥1.2995
3248.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
系列
STQ1NK60ZR
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
0.5 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格,STQ1NK60ZR-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.4692
100:¥4.2036
500:¥3.7064
3,000:¥2.599
9,000:查看
参考库存:34183
分立半导体
MOSFET 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified
1:¥7.2207
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥3.9437
2,500:¥2.8928
5,000:查看
参考库存:19730
分立半导体
MOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:48937
分立半导体
肖特基二极管与整流器 PMEG100V080ELPD/CFP15/REEL 7
1:¥5.1528
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
1,500:¥1.8645
参考库存:395029
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:31531
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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