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分立半导体
STB26NM60N参考图片

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STB26NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V
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数量单价合计
1
¥47.0306
47.0306
10
¥39.9568
399.568
100
¥34.6571
3465.71
250
¥32.883
8220.75
1,000
¥24.8939
24893.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB26NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3499L/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥132.2439
250:¥120.5597
500:¥112.7966
参考库存:33701
JANTX1N4135UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥88.9762
200:¥81.1453
500:¥75.9134
1,000:¥69.6193
参考库存:33706
JAN1N3037C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥126.1758
200:¥115.034
500:¥107.6551
参考库存:33711
JANTXV1N4955/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥89.8237
250:¥81.9137
500:¥76.614
1,000:¥70.3086
参考库存:33716
JANTX1N6330US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥122.6389
200:¥111.8022
500:¥104.5815
参考库存:33721

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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