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分立半导体
SIR112DP-T1-RE3参考图片

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SIR112DP-T1-RE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:5,096(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7687
676.87
500
¥5.8195
2909.75
1,000
¥4.5991
4599.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
133 A
Rds On-漏源导通电阻
1.96 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
151 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格,SIR112DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 700A
1:¥1,133.8533
5:¥1,106.5751
10:¥1,079.0596
参考库存:4662
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
311:¥22.8938
500:¥20.5886
1,000:¥17.3681
2,500:¥16.5206
参考库存:52754
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9608
500:¥6.1585
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:105804
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4136
分立半导体
MOSFET MV POWER MOS
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.5262
1,000:¥11.752
2,000:查看
参考库存:9123
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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