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分立半导体
HN4C51J(TE85L,F)参考图片

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HN4C51J(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-25-5
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
系列
HN4C51
直流电流增益 hFE 最大值
700
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
14 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84W-C2V4F
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-C2V4 SC-70
1:¥1.3108
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.26894
参考库存:54464
BZX84W-C22X
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-C22 SC-70
1:¥1.3108
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.26894
参考库存:54469
BR1010W-G
Comchip Technology
分立半导体
桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 10A 1000V
暂无价格
参考库存:54474
CR03AM-16A#B00
Renesas Electronics
分立半导体
SCR Thyristor
1:¥7.1416
10:¥6.4975
25:¥5.763
100:¥5.0172
参考库存:54479
BAS20-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 200 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
1:¥2.147
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:54484

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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