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分立半导体
CSD17381F4参考图片

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CSD17381F4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:164,364(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.3052
23.052
100
¥1.07576
107.576
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.68365
2050.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻
109 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.04 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17381F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
4.8 S
开发套件
CSD1FNCHEVM-889
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.8 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17381F4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5 Watt IR = 3uA
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:63798
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.2W 2%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:74300
分立半导体
MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:23807
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.5W 5%
1:¥1.695
10:¥1.3786
100:¥0.58421
500:¥0.48364
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:52404
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.5 Watt 2%
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:47606
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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