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分立半导体
DMN53D0LW-7参考图片

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DMN53D0LW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.3786
13.786
100
¥0.5763
57.63
1,000
¥0.40002
400.02
3,000
¥0.30736
922.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
420 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.9 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMN53D0LW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UG4C-M3/73
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 4A,150V,20NS,UF RECT
9,000:¥1.2995
10,000:¥1.2091
25,000:¥1.1526
参考库存:34578
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR TR
8,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
48,000:¥0.65314
100,000:¥0.63054
参考库存:34583
S3D-M3/57T
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 3A,200V,GPP STD, SM Rect
7,650:¥1.05316
10,200:¥0.97632
25,500:¥0.92999
参考库存:34588
CDLL4740AE3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
258:¥27.5833
500:¥24.8148
1,000:¥20.905
2,500:¥19.8993
参考库存:34593
GP10-4002-E3/53
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100V 1.0A Glass Passivated TrimLeads
9,000:¥0.94468
24,000:¥0.89948
参考库存:34598

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