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分立半导体
STW18N65M5参考图片

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STW18N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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数量单价合计
1
¥40.8834
40.8834
10
¥32.883
328.83
100
¥29.1992
2919.92
250
¥26.9731
6743.275
500
¥24.2837
12141.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
9.4 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
31 nC
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW18N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW18N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:7476

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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