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分立半导体
STGB20NC60V参考图片

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STGB20NC60V

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT
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库存:7,476(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.9783
179.783
100
¥15.594
1559.4
250
¥14.8256
3706.4
1,000
¥11.2209
11220.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NC60V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
4.6 mm
长度
8.5 mm
宽度
15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A, 60 A
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NC60V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
1:¥24.8939
10:¥23.7413
100:¥19.1309
500:¥15.0629
3,000:¥11.3678
6,000:查看
参考库存:59051
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.4578
10:¥2.5877
100:¥1.921
500:¥1.5707
3,000:¥1.11418
6,000:查看
参考库存:148068
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:3665
分立半导体
整流器 Dual 2x15A 600V FRED Pt AEC-Q101
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
2,000:¥7.8422
参考库存:13807
分立半导体
MOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
1:¥6.9947
10:¥5.9438
100:¥4.5652
500:¥4.0341
2,500:¥2.825
10,000:查看
参考库存:15214
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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