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分立半导体
SIHD7N60ET5-GE3参考图片

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SIHD7N60ET5-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds E Series DPAK TO-252
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库存:40,904(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥5.9212
17763.6
6,000
¥5.7065
34239
9,000
¥5.4805
49324.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
MOSFET
商标
Vishay / Siliconix
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SIHD7N60ET5-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SBN SSP SOT223 NPN
1:¥4.2262
10:¥3.4578
100:¥2.1018
1,000:¥1.6272
2,000:¥1.3899
参考库存:533245
分立半导体
整流器 200V 1A UltraFast
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
5,000:¥0.75258
参考库存:414787
分立半导体
MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.8138
2,500:¥3.3674
10,000:查看
参考库存:163699
分立半导体
MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
1:¥4.068
10:¥3.3787
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:134601
分立半导体
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 225mW 1.8mW
1:¥35.5724
10:¥28.589
100:¥23.4362
500:¥21.131
参考库存:18928
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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