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STQ2LN60K3-AP参考图片

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STQ2LN60K3-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
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数量单价合计
1
¥3.842
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10
¥3.1979
31.979
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5029
1502.9
2,000
¥1.2882
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
Pd-功率耗散
2.5 W
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Ammo Pack
系列
STQ2LN60K3-AP
商标
STMicroelectronics
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.5 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥790.8418
参考库存:54864

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