GB10SLT12-220详细参数_参考价格_GB10SLT12-220 PDF资料_GeneSiC Semiconductor

分立半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	GeneSiC Semiconductor
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220
If - 正向电流	10 A
Vrrm - 重复反向电压	1200 V
Vf - 正向电压	1.9 V
Ifsm - 正向浪涌电流	65 A
技术	SiC
Ir - 反向电流	52 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
系列	GB10SLT12
封装	Tube
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
商标	GeneSiC Semiconductor
Pd-功率耗散	42 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	50
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	25 ns
单位重量	2.300 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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