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分立半导体
STB28NM60ND参考图片

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STB28NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥51.0986
51.0986
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.2618
3826.18
1,000
¥28.9732
28973.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
62.5 nC
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB28NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
23.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB28NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥4.1471
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10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4354
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参考库存:31762
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1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:42679
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MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
4,000:¥6.4749
8,000:查看
参考库存:37556
分立半导体
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1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:23318
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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