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分立半导体

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2SD2318TLV

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK V
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数量单价合计
2,500
¥3.0171
7542.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD2318
直流电流增益 hFE 最大值
18000
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
560
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2SD2318
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,2SD2318TLV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.95MO
1,500:¥1.8984
3,000:¥1.8984
9,000:¥1.8306
24,000:¥1.7628
49,500:¥1.7289
参考库存:27564
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
6,000:¥0.85315
12,000:查看
参考库存:27569
分立半导体
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:27574
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:27579
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
5,000:¥4.859
10,000:查看
参考库存:27584
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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