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分立半导体
STGWT30H60DFB参考图片

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STGWT30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT30H60DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Power
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:2374
分立半导体
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1:¥6.6896
10:¥5.1528
100:¥4.4861
250:¥3.9098
3,000:¥2.3391
6,000:查看
参考库存:31546
分立半导体
整流器 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated
1:¥4.6104
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
6,500:¥1.5594
13,000:查看
参考库存:34188
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 47kO SOT-23
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:31690
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥39.1884
10:¥33.3463
100:¥28.8941
250:¥27.4364
参考库存:3942
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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