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NTD25P03LT4G参考图片

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NTD25P03LT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -30V -25A P-Channel
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0116
60.116
100
¥4.6217
462.17
500
¥4.0906
2045.3
2,500
¥2.8589
7147.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
NTD25P03L
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
37 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，NTD25P03LT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50:¥802.5147
100:¥790.8418
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  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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