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分立半导体
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1N4447/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 二极管 - 通用，功率，开关
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库存：43,290(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥9.831
983.1
685
¥9.831
6734.235
1,000
¥8.1473
8147.3
2,500
¥7.571
18927.5
5,000
¥7.2998
36499
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
二极管 - 通用，功率，开关
RoHS
否
产品
Switching Diodes
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
DO-35-2
峰值反向电压
75 V
最大浪涌电流
500 mA
If - 正向电流
200 mA
配置
Single
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
产品类型
Diodes - General Purpose, Power, Switching
工厂包装数量
100
子类别
Diodes & Rectifiers
商品其它信息
优势价格，1N4447/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
2,500:¥3.1527
参考库存:19846
MBR10100CDTR-G1
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
暂无价格
参考库存:44900
BUK9609-75A,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
800:¥6.9156
参考库存:44905
A2C50S65M2
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥405.7943
5:¥396.7204
10:¥378.5952
25:¥362.6848
参考库存:44910
AFT26HW050SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:44915

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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