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分立半导体
IRLD120PBF参考图片

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IRLD120PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.2828
62.828
100
¥4.8364
483.64
500
¥3.5821
1791.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
3.37 mm
长度
6.29 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.9 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
商品其它信息
优势价格,IRLD120PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:46579
分立半导体
稳压二极管 56 Volt 0.5W 5%
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:46586
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 S. SIG DIODE,SWITCH 0.35W,100V
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:104658
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTKY TAPE-11
1:¥1.8419
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:68490
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:23917
  • 海量现货

    50万现货SKU

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