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分立半导体
PD55025-E参考图片

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PD55025-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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数量单价合计
1
¥220.0675
220.0675
5
¥217.8414
1089.207
10
¥203.0158
2030.158
25
¥193.8628
4846.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55025-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 1A
1:¥1.921
25:¥1.7854
100:¥1.6385
250:¥1.4803
参考库存:11718
分立半导体
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1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.1981
1,000:¥5.6839
参考库存:4175
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肖特基二极管与整流器 10A 45V TrenchMOS
1:¥7.9891
10:¥6.5314
100:¥5.0059
500:¥4.3053
1,000:¥3.7855
参考库存:24127
分立半导体
双向可控硅 400V .8A Sensing 10-10-10-20mA
1:¥7.1416
10:¥5.7856
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.0962
参考库存:14129
分立半导体
整流器 200mA 2000V
1:¥1.07576
25:¥0.9379
100:¥0.84524
250:¥0.70738
500:¥0.31527
5,000:¥0.31527
参考库存:5356
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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