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分立半导体
SIHD3N50DT1-GE3参考图片

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SIHD3N50DT1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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10
¥5.7404
57.404
100
¥4.3618
436.18
500
¥3.5934
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ACZRC5357B-G
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 ZENER 5W 20V AEC-Q101
3,000:¥1.7854
9,000:¥1.7289
24,000:¥1.6611
45,000:¥1.6385
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SS1H15LS RVG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 150V, SCHOTTKY
12,000:¥0.66105
24,000:¥0.63054
参考库存:56172
SFA806GHC0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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2,000:¥2.8137
4,000:¥2.7459
10,000:¥2.5312
24,000:¥2.4295
参考库存:56177
1N757A TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 9.1V 0.5W T/R
10,000:¥0.66105
20,000:¥0.61472
参考库存:56182
S12KR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 800V 12A REV Leads Std. Recovery
500:¥30.962
1,000:¥26.9731
2,500:¥25.9674
参考库存:56187

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