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分立半导体
IRFH8303TRPBF参考图片

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IRFH8303TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
4,000
¥5.763
23052
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
158 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
91 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SP001554820
商品其它信息
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1,000:¥0.30736
2,000:¥0.23843
参考库存:70055
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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