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分立半导体
IRFZ14PBF参考图片

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IRFZ14PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.1416
71.416
100
¥6.2715
627.15
500
¥4.9155
2457.75
1,000
¥3.9211
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
IRFZ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFZ14PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
2,500:¥2.8137
10,000:查看
参考库存:53081
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 45V DUAL TrenchMOS
1:¥16.3624
10:¥13.6052
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6275
参考库存:12378
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
1:¥118.0285
10:¥107.1127
25:¥99.2818
50:¥93.5866
参考库存:5370
分立半导体
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.2713
参考库存:150467
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
1:¥37.0414
100:¥30.8942
500:¥26.4307
1,000:¥23.1311
参考库存:25209
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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