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分立半导体
SQP100P06-9M3L_GE3参考图片

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SQP100P06-9M3L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:24,899(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥18.984
189.84
100
¥15.594
1559.4
250
¥15.142
3785.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
187 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SQP100P06-9M3L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 12 Amp 1000 Volt
1:¥17.5941
10:¥14.9047
100:¥11.9893
500:¥10.4525
参考库存:11404
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
2,500:¥4.181
参考库存:82321
分立半导体
整流器 1A,600V,75NS,UF RECT,SMD
1:¥3.6838
10:¥2.147
100:¥1.2543
500:¥1.01474
1,800:¥0.68365
3,600:查看
参考库存:83213
分立半导体
肖特基二极管与整流器 5uA 20Volt 15A IFSM
1:¥3.7629
10:¥2.1131
100:¥1.1413
500:¥0.90626
3,000:¥0.59212
6,000:查看
参考库存:72895
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.97632
500:¥0.83733
5,000:¥0.43053
10,000:查看
参考库存:118132
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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