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分立半导体
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FGH75T65UPD-F085

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数量单价合计
1
¥51.4037
51.4037
10
¥46.4882
464.882
25
¥44.2621
1106.5525
100
¥38.42
3842
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.21 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH75T65UPD
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH75T65UPD_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，FGH75T65UPD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PZU2.7B2A,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 40W SINGL 200mA 2.9V Single Zener diodes
1:¥2.7685
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:33800
DZ23C22-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 300MW 22V
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:48752
SZMMSZ5265BT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.5W 62V
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:18289
STD2N62K3
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
2,500:¥3.4804
10,000:查看
参考库存:32096
AZ23C5V1-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 300mW 5.1V Dual AEC-Q101 Qualified
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:91433

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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