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分立半导体
RGTH80TS65DGC11参考图片

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RGTH80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥23.8995
238.995
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
234 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH80TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH80TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGTH80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
5,000:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:25322
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 3.0 Watt 5%
1:¥3.6838
10:¥2.825
100:¥2.1018
500:¥1.7176
3,200:¥1.2091
6,400:查看
参考库存:25327
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 100 Volt 150ns
1:¥3.9211
10:¥2.2713
100:¥1.3221
500:¥1.07576
3,000:¥0.72207
6,000:查看
参考库存:25332
分立半导体
稳压二极管 1.5W,36V 5%,SMB Znr
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,200:¥1.4238
6,400:查看
参考库存:25337
分立半导体
整流器 200 Volt 8.0A 35ns 125 Amp IFSM
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
参考库存:25342
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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