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分立半导体
PTRA083818NF-V1-R5参考图片

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PTRA083818NF-V1-R5

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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数量单价合计
500
¥738.2064
369103.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
增益
18 dB
输出功率
275 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HBSOF-6-2
封装
Reel
工作频率
733 MHz to 805 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTRA083818NF-V1-R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:42347
分立半导体
双向可控硅 600V 10A 50-50-50mA
1:¥20.3626
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.30
1,000:¥9.2999
参考库存:42352
分立半导体
整流器 600 Volt 150 Amp
25:¥256.6456
50:¥248.5774
100:¥240.5883
250:¥224.5988
参考库存:42357
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBR Diode
1:¥3.6838
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.91417
参考库存:18962
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:42364
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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