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分立半导体
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STGB30H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package
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数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.8368
6418.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H65FB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB30H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSL13 F2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Low VF 1Amp 30v SMD Schottky Rectifier
15,000:¥0.92208
参考库存:50103
BZD17C200P R2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 200V, ZENER
7,500:¥1.3108
22,500:¥1.2204
45,000:¥1.09836
参考库存:50108
CMR1F-06M TR13
Central Semiconductor
分立半导体
整流器 1Amp 600Vrrm 600Vr 420Vrms 30A Ifsm
5,000:¥0.61472
10,000:¥0.61472
25,000:¥0.5763
50,000:¥0.51528
100,000:¥0.49946
参考库存:50113
ES1DHF2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.75258
22,500:¥0.67574
45,000:¥0.5989
97,500:¥0.56048
参考库存:50118
MURT20060R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
25:¥704.0804
50:¥689.639
100:¥664.7451
参考库存:50123

  • 海量现货

    50万现货SKU

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